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本公开提供了一种顶栅场效应晶体管及其制备方法。本公开的顶栅场效应晶体管包括衬底层、有源层、界面钝化层、栅介质层、顶栅电极、源极和漏极，界面钝化层形成于所述有源层之上并直接与所述有源层接触，所述栅介质层形成于所述界面钝化层之上，所述界面钝化层能够钝化所述有源层表面，阻挡氧扩散进入所述有源层，并为所述栅介质层的沉积提供形核中心。本公开能够有效降低器件的回滞、频散和栅极漏电流，提升器件的电学性能和可靠性，拓展碳基器件在先进技术节点集成电路领域的应用潜力。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117377328A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202210742669.2
(22)申请日2022.06.28
(71)申请人北京大学
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