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本发明公开了一种斯格明子人工突触器件及其权值调控方法，斯格明子人工突触器件包括：芯片基底以及构筑在芯片基底上的导线和斯格明子存储器件；斯格明子存储器件位于导线中心；斯格明子存储器件与导线不接触；在斯格明子存储器件中，有且仅有1个斯格明子；导线包括连接的环绕部分和引出部分；引出部分之间存在预设宽度的间隙；引出部分用于通入电流脉冲，在环绕部分产生环绕的奥斯特场；其中作用在斯格明子存储器件上的奥斯特场方向垂直于斯格明子存储器件；斯格明子的尺寸随着奥斯特场的大小变化而变化；斯格明子存储器件的垂直磁化随着
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117371501A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311298257.5
(22)申请日2023.10.09
(71)申请人中国人民解放军国防科技大学
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