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本发明涉及一种半导体清洗装置及半导体清洗方法。所述半导体清洗装置包括：反应腔室，用于容纳待清洗的半导体结构；第一喷嘴，位于所述反应腔室内，所述第一喷嘴包括第一喷口和第一非接触式加热器，所述第一喷口用于喷射第一湿法清洗剂，所述第一非接触式加热器用于加热自所述第一喷口喷出的所述第一湿法清洗剂。本发明改善了半导体清洗装置的湿法清洗效果，减少清洗后杂质的残留。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117373957A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311459242.2B08B13/00(2006.01)
(22)申请日2023.11.
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