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吲哚[3，2-b]咔唑衍生物的设计、合成和半导体性能的开题报告

一、研究背景

吲哚[3，2-b]咔唑是一种具有类似咔唑环和吲哚环结构的化合物，其具有良好的光电性质和半导体性质，在光电器件和有机场效应晶体管等领域有广泛的应用前景。因此，设计、合成和研究吲哚[3，2-b]咔唑衍生物的半导体性能对于拓宽其应用范围具有重要的意义。

二、研究目的

1.设计合成目标化合物，并优化反应条件，提高合成产率和纯度；

2.研究吲哚[3，2-b]咔唑衍生物的光电性质和半导体性能；

3.探究吲哚[3，2-b]咔唑衍生物的物理化学性质，为其在有机电子学等领域应用提供理论依据。

三、研究方法

1.设计合成三种不同结构的吲哚[3，2-b]咔唑衍生物；

2.采用核磁共振（NMR）、质谱（MS）等方法表征合成产物的结构；

3.使用紫外可见光谱（UV–vis）、荧光光谱、电化学循环伏安（CV）等方法探究合成化合物的光、电性质，并通过一系列的测试和计算，深入了解半导体性质；

4.利用纳米级器件制备技术研究吲哚[3，2-b]咔唑衍生物的有机场效应晶体管性能。

四、研究预期结果

1.设计、合成三种不同结构的吲哚[3，2-b]咔唑衍生物，包括吲哚[3，2-b]咔唑-7-甲酰氧基-5-亚胺基、吲哚[3，2-b]咔唑-5-酰氧基-7-亚胺基和1,3-双(吲哚[3，2-b]咔唑-5-酰氧基)苯，并通过NMR、MS等手段对其进行表征；

2.探究吲哚[3，2-b]咔唑衍生物的UV–vis、荧光光谱、CV等光电性质，并通过测试和计算研究其半导体性质；

3.制备吲哚[3，2-b]咔唑衍生物的有机场效应晶体管，研究其性质。

五、研究意义

本研究将设计、合成三种不同结构的吲哚[3，2-b]咔唑衍生物，并深入探究其光电性质和半导体性质，从而为其在有机电子学等领域的应用提供理论基础和实验依据。同时，本研究还将提高有机场效应晶体管的性能，为其在电子学等领域的应用开拓新的方向。