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本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置，包括外坩埚、支撑体、内坩埚和多个移动部件，在实际长晶时，随着长晶过程的进行，在高温和原料产生的气体的共同作用下，支撑体会发生改性而软化，此时内坩埚在自身重力的作用下会下压改性后的支撑体，并压缩支撑体，第二部件被配置为可随着内坩埚下降而带动对应的第一部件向外坩埚的底部下降且向内坩埚的中心靠拢，从而挤压疏松的原料并缩小原料的尺寸，从而挤压疏松的原料并缩小容纳腔的尺寸，一方面能够降低原料塌陷的几率，另一方面使得细小的碳颗
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117385449A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311450448.9
(22)申请日2023.11.02
(71)申请人湖南三安半导体有限责任公司
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