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本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括半导体基底和设置于半导体基底上的介质层，介质层中开设有露出半导体基底的接触孔；通过化学气相沉积的方式在接触孔的侧壁上沉积钛金属层，第一沉积工艺和第二沉积工艺沉积的钛金属层完全覆盖接触孔的侧壁；沉积钛金属层的制程包括第一沉积工艺和第二沉积工艺。通过结合第一沉积工艺和第二沉积工艺，能够形成完全覆盖接触孔的侧壁的钛金属层，进而有效降低氮化钛的用量、或是避免氮化钛的使用，进而显著降低接触结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115433919A
(43)申请公布日2022.12.06
(21)申请号202211199827.0
(22)申请日2022.09.29
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址230
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