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本发明公开了控制晶棒切割热量的工艺方法，包括以下步骤：将晶棒固定在粘接有碳基树脂板的工件板上；当晶棒切割深度逐渐增大时，不断地控制切片加工仓内设置的控温装置温度、砂浆温度以及流量进行改变；本发明通过控温装置、碳基树脂板以及控制砂浆的变化，综合控制晶棒切片过程中产生的热量，可以有效的降低同一批次硅片的warp值，使用碳基树脂板以及控温装置来控制晶棒加工成过程的热量变化，随着切入晶棒的深度变化以及砂浆温度的变化，控温装置进行及时的调整，避免切断的晶棒温度变化过大，解决现有晶棒切割时热量波动不稳定的问
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117382010A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311615589.1
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人宁夏中欣晶圆半导
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