光电效应与光电元件.pptVIP

1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。;光电效应的分类;1）外光电效应;爱因斯坦光电方程

电子逸出金属表面的速度v可由

能量守恒定律确定：;几种金属逸出功的近似值(eV);光的频率、波长、光速之间的关系;电磁波频谱（光是一种电磁波）;光电管电路及特性;光电倍增管;紫外光电管;二、基于内光电效应的光电元件;光敏电阻外形及结构;光敏电阻原理演示;光敏电阻的特性和参数;3）响应时间：光敏电阻受光照后，光电流需要经过一段时间（上升时间）才能达到其稳定值。同样，在停止光照后，光电流也需要经过一段时间(下降时间)才能恢复到其暗电流值，（时延特性）。光敏电阻的上升响应时间和下降响应时间约为10–2～10–3s，光敏电阻不能用在要求快速响应的场合。;部分光敏电阻的特性参数;钠铝锌铜银铂

柔光罩下面为圆形光电池

光敏晶体管的灵敏度比二极管高，但频率特性较差，暗电流也较大。

第一类：在光线的作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管、光电摄像管等。

当入射光子的能量足够大时，PN结每吸收一个光子就产生一对光生电子-空穴对，光生电子-空穴对的的扩散运动使电子通过漂移运动被拉到N型区，空穴漂移到P区，所以N区带负电，P区带正电。

几种金属逸出功的近似值(eV)

InGaAs近红外增强雪崩二极管特性

在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻。

包含1024个InGaAs元件的线性光电二极管阵列，可用于分光镜等。

当有一定照度的光信号通过玻璃窗口照射到正向阻断的PN结上时,将产生门极电流,从而使光敏晶闸管从阻断状态变为导通状态。

它的灵敏度更高（β=β1β2），且允许输出较大的电流。

用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串能量为hf（或hν）的光子的轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。

但由于光电倍增管是玻璃真空器件，体积大、易破碎,工作电压高达上千伏,所以目前已逐渐被新型半导??光敏元件所取代。

光敏二极管伏安特性及红外发射、接收对管

请作图、计算当E=1000lx时，光敏二极管的光电流IΦ

在光电技术中，经常使用光的波长，而不是光的频率。

当合适波长的光照射在光敏

请作图计算当E=1000lx时，光电池的电流IΦ和电压Uoc

APD二极管适用于微光测量和光纤通信。

入射光子在集电结附近产生电子-空穴对，集电极电流IC是原始光电流的β倍。

构成光敏电阻的材料有：

APD载流子雪崩式倍增示意图

光敏晶闸管用于光控路灯电路

硅光敏晶体管的光谱特性

二极管的PN结（又称耗尽层）

3－外壳4－玻璃聚光镜

3）响应时间：光敏电阻受光照后，光电流需要经过一段时间（上升时间）才能达到其稳定值。

2－紫外线增强时的曲线

玻壳用对紫外线透光率较好的石英材料制造

由于光电池受照射产生电子-空穴对需要一定的时间，因此当入射光的调制频率太高时，光电池的输出光电流将下降。;光敏二极管的结构;光敏二极管的工作原理;部分光敏二极管特性参数;光敏二极管实物照片;光敏二极管外形;光敏二极管伏安特性及红外发射、接收对管;光敏二极管的反向偏置接法

;光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示;特殊光敏二极管——PIN二极管;PIN二极管;PIN二极管的PN结与内部电场;特殊光敏二极管——APD二极管;APD光敏二极管的PN结、内部电场分布

及电子倍增;APD光敏二极管的

外形及用途;GD3250系列硅雪崩光电二极管的特性参数;.;光敏晶体管;光敏晶体管的结构;;光敏三极管的外形

多数只有C、E

两个电极;硅光敏晶体管的伏安特性;硅光敏晶体管的光谱特性;硅光敏

晶体管的光谱特性;几种光敏材料的光谱峰值波长;光敏二极管、晶体管的光电特性比较;光敏管的特性（续）;光敏管的频率特性;光敏晶体管的频率特性;3DU光敏三极管特性参数;光敏达林顿管;光敏晶闸管;光敏晶闸管用于光控路灯电路;光敏晶闸管多用于弱电控制强电的光耦电路;*;三、基于光生伏特效应的光电元件

——光电池;太阳能电池的种类;光电池的结构及工作原理示意图;光电池内部载流子的漂移示意图;光电池外形;1.硅光电池的图形符号及等效电路;2.硅光电池的主要特性;光谱特性：;光电池的光电特性;光电池的光电特性演示;光电池的温度特性;光电池的频率特性;能提供较大电流的大面积光电池外形

（频率特性很差）;光电池

组件