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本发明公开了一种巨量微纳芯片全局转印方法，包括如下步骤：(1)将阵列在衬底1上芯片按压在第一转印印章上；(2)加热第一转印印章，移除衬底1；(3)再将第一转印印章按在在第二转印印章上；(4)再加热第二转印印章，移除第一转印印章；(5)再将第二转印印章按压在强粘性胶带上，移除第二转印印章；其中，转印印章包括玻璃基底和设置在玻璃基底上的热固化胶层；第二转印印章的粘性大于第一转印印章的粘性。芯片朝向可控，对芯片进行批量翻面，同时进行转移印刷，减少中间环节。粘性较强，拾取成功率高。嵌入式转移，转移精度高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393470A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311554713.8
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人绍兴圆炬科技有限公司
地址31
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