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- 2024-01-13 发布于四川
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本发明提供一种半导体装置，具备栅极沟槽部、以及与所述栅极沟槽部邻接的第一沟槽部，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方，并且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；以及第二导电型的接触区，其设置于基区的上方，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度。接触区在栅极沟槽部与第一沟槽部之间的台面部可以具有从第一沟槽部延伸至发射区的下端的下方而设置地第一接触区和第二接触区。在沟槽排列方向上，第一接触部可以设置为从第一沟槽部起
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117397042A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202280038046.5(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限
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