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本发明公开一种基于高电子迁移率的超快惠更斯超表面，涉及太赫兹器件技术领域，解决目前现有的太赫兹调制器调制速率较低、开关比和带宽较小以及稳定性不足的问题；本发明包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的外延层、设置于外延层上的双层结构的调制单元阵列；所述双层结构的调制单元阵列的每个调制单元结构包括顶层套嵌2DEG的级联I型结构即I‑2DEG、底层双开口谐振环即DSRR；所述I‑2DEG包括：源极谐振器、漏极谐振器、栅极连接线，半导体掺杂异质结构，所述DSRR结构包括两个开口谐振环；本发明采用了双层金属结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117394036A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311320514.0
(22)申请日2023.10.12
(71)申请人电子科技大学
地址610000
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