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单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化
电子工业苣用设备
lpmentforElectr伽P】蝴hm如clll
-清洗技术与设备
单晶圆兆声清洗技术研究
及兆声喷头方案优化
刘永进,杜建科,冯小强
f中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601)
摘要:基于单晶圆兆声清洗的原理,分析了针对单晶圆兆声清洗的多
种方案的优缺点,提出了适
合单晶圆兆声清洗的优化方案.
关键词:单晶圆;兆声;清洗
中图分类号:TH132文献标识码:B文章编号:1004—4507(2011)01
0015-03
StudyofSingle-waferMegasonicCleaningandOptimizationof
MegasonicNozzle
LluYongjin.DUJianke,FENGXiaoqiang
(The45thResearchlnstituteofCETC,Beijing101601,China)
Abstract:Basedonthetheoryofsingle
wafermegasoniccleaning,measuresareanlysised,andanim—
provedmeasureisindicated.
Keywords:Single-wafer;Megasonic;Cleaning
目前,在国外单晶圆兆声清洗技术己得到了较
深入的研究_1]并在设备中己广泛应用.SSEC公司等
单晶圆设备制造商都有自己专利的兆声喷头和比较
成熟的清洗工艺,本多电子,BRANSON,
SONOSYS,PROSYS等超声生产厂商也都有针对单
晶圆清洗的兆声喷头产品.但是由于国内单晶圆清
洗技术还处在起步阶段,对于晶圆的兆声清洗技术
也还处于槽式批量清洗阶段,所以国内对于单晶圆
的兆声清洗技术还是少有研究.
收稿日期:2010—11-01
1单晶圆兆声清洗技术的必要性
1.1单晶圆清洗技术的必要性
随着300mm圆片和90nm工艺时期的到来,
传统的批处理清洗技术在诸多工艺因素的驱动下
已难以适应湿法清洗,制备工艺过程中需要引入新
型的清洗工艺,以确保IC规格,性能指标及可靠性
不因污染影响而下降.此外,湿法批处理技术也无
法满足快速热处理工艺和CVD技术.基于此,驱使
清洗技术与设备
清洗设备向单片式发展的主要因素仃:
?
降低大商径圆片批处理中成品率损失的风险;
?
批处理:L艺中圆片传递的交叉污染;
)
圆片的背面,斜面和边缘清洗的要求;
?
减少薄膜材料的损失;
?
化学机械抛光(CMP)后的刷洗技术;
适用于多品种,小批最的产品.
为了满足_卜述要求,单圆片清洗技术得到了半
导体业界更多的认同,目前众多的晶圆代r,超
大规模集成电路(VLsI)和ULSI制造业都逐步倾
向于引进单圆片湿法清洗技术,以降低批处理清洗
中交叉污染的风险.
1.2兆声清洗的原理
兆声波清洗技术【2_1不但保存了超声波清洗的
优点,而月J克服了它的不足.兆声波清洗的机理是
由高~(85okHz)频振效应并结合化学清洗剂的化
学反应对晶圆片进行清洗.在清洗时由换能器发出
波长为1.5m频率为0.8MHz的高能声波.溶液
分子在这种声波的推动下做加速运动,最大瞬时速
度可达到30cm/s.因此形成不了超声波清洗那样
的气泡,而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面,
使抛光片表面附着的污染物和细小微粒被强制除
去并进入到清洗液中.兆声波清洗抛光片可去掉晶
片表面上小于0.2m的粒予,起到超声波起不到
的作用.这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗
两种方法的作用【4_.
2存在的问题分析
般的单晶圆兆声清洗方式都是采用尖嘴形
兆声喷头,在晶圆旋转的同时,兆声喷头做扫瞄运
动,达到对整个晶圆清洗的效果,如图1所示.
兆声喷头
.:...扫描运动
T
|1.
摆留
I.(j
~晶圆旋转
图1单晶圆兆声清洗原理图
电子工业董用设备-
由于尖嘴式兆声喷头尖嘴直径一般只有2~4mm,
相对于晶圆片可以看做一个点,且尖嘴式兆声喷头
的能量主要集中于喷嘴处,所以尖嘴式兆声喷头对
晶圆片能量相当于一点作用.虽然晶圆旋转的同时
喷头做扫描运动在足够长的时间里可以将整个晶圆
片覆盖,但会出现如图2所示的效果.时间较短时如
图2(a)所示,随着时间的延长,能量扫略过的的区
域如图2(b)所示.即应用尖嘴式兆声会现在晶圆
片上能量分布不均的情况,有的区域被重复清洗,而
有的区域却没有被清洗到.如果要所有的区域都被
清洗干净,就必须大幅度的延长清洗时间,影响效
率.并日.有研究151已表明,过度的清洗会造成晶圆片
的损伤.因此必须提高兆声清洗的均匀性.
短时间兆商箭骺能旱=分长时间兆声清洗后能量分布
图
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