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本发明涉及一种半导体复合纳米材料及其制备方法和用途，所述半导体复合纳米材料包括CdSe/CdS纳米棒和生长于所述CdSe/CdS纳米棒两端的纳米粒子；所述纳米粒子包括核壳结构；所述核壳结构包括纳米金内核和包覆于所述纳米金内核外表面的钴层。所述制备方法包括混合CdSe/CdS纳米棒溶液和金前体溶液，进行第一反应，然后加入钴源，进行第二反应，得到所述半导体复合纳米材料。本发明提供半导体复合纳米材料将荧光材料和磁性纳米粒子结合，可以在外磁场下发射较强的圆偏振光，并且制备方法简单，具有广阔的应用前景。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117384638A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202210785390.2
(22)申请日2022.07.04
(71)申请人国家纳米科学中心
地址1001
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