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本发明公开一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括元件基板，包含元件结构层以及埋入介电层，其中所述埋入介电层是设置在所述元件结构层的半导体层上。金属层设置在所述埋入介电层上且被第一内层介电层环绕。所述金属层的一区域有多个开口，其中所述埋入介电层有空气间隙，所述空气间隙在所述金属层具有所述多个开口的所述区域的下方且暴露所述区域。第二内层介电层，设置在所述金属层上且由所述金属层的所述多个开口密封所述空气间隙。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393536A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311532843.1
(22)申请日2020.04.27
(62)分案原申请数据
202010344144.4
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