原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部的第一掺杂层；位于所述栅极沟槽侧壁的栅极介质层；依次位于所述第一掺杂层表面的至少一层第二掺杂层和至少一层第三掺杂层以及覆盖层，其中，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的掺杂类型相反，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层构成TVS二极管，所述覆盖层的顶面与所述外延层的顶面平齐。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，在栅极沟槽中集成异质结和TVS二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393437A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311491261.3
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人飞锃半导体（上海）有限公司
地址
文档评论（0）