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一种半导体结构的形成方法以及半导体结构.pdf

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    本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法和半导体结构，方法包括：提供衬底；在衬底上，形成沿竖直方向交替堆叠的半导体层和牺牲层；其中，半导体层和牺牲层均沿第一方向延伸，第一方向垂直于竖直方向；在半导体层和牺牲层内，形成支撑结构和接触结构；其中，支撑结构和接触结构共平面；支撑结构穿透牺牲层；接触结构形成于支撑结构和半导体层的交叉位置；在支撑结构和接触结构的第一侧，将部分半导体层加工形成第一导电线；第一导电线均沿第一方向延伸且与接触结构连接；将第一导电线加工为阶梯状；形成沿竖直方向延伸的第二导电线；

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117393494A

    (43)申请公布日2024.01.12

    (21)申请号202210771646.4

    (22)申请日2022.06.30

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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