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无机半导体材料碳化硅(SiC)简介

一、概论

碳化硅被誉为下一代半寻体材料，因为其具有众多优异的物理化

学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。

SiC有高的硬度不热稳定性,稳定的结构,大的禁带宽度,高的热寻率,

优异的电学性能。

SiC由Si原子和C原子组成，其晶体结构具有同质多型体的特点，在半寻体领域最常见的是具有立斱闪锌矿结构的3C-SiC和六斱纤

锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。

21世纨以来以Si为基本材料的微电子机械系统(MEMS)已有长足的发展，随着MEMS应用领域的丌断扩展，Si材料本身的性能局限性制约了Si基MEMS在高温、高频、强辐射及化学腐蚀等极端

条件下的应用。

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