硅半导体材料基础.pptVIP

第3章硅半导体材料根底;进入20世纪60年代，半导体工业的开展发生了一次飞跃，这是由于以硅氧化和外延生长为前导的硅平面器件工艺的形成，使硅集成电路的研制获得成功。

此外，GaN及其多元化合物还是半导体照明的首选材料。半导体灯将有可能像50年前，晶体管取代电子管那样替代白炽灯，使照明工程进入一个新时代。;3.1.2半导体材料的分类

对半导体材料可从不同的角度进行分类，例如根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体；根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体；根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体，但比较通用且覆盖面较全的那么是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。;;1.元素半导体

有12种元素具有半导体性质，目前使用的元素半导体主要是硅和锗。

2.化合物半导体

化合物半导体材料的种类繁多，性能各异，因此用途也就多种多样。化合物半导体按其构成的元素数量可分为二元、三元、四元等。按其构成元素在元素周期表中的位置可分为Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅳ族等。;3.固溶半导体

由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。因为不可能做出绝对纯的物质，材料经提纯后总要残留一定数量的杂质，而且半导体材料还要有意地掺入一定的杂质，在这些情况下，杂质与本体材料也形成固溶体，但因这些杂质的含量较低，在半导体材料的分类中不属于固溶半导体。;3.2硅材料的主要性质

硅具有银白色或灰色金属光泽，晶体硬而脆，硅的外观如图3-4所示。硅熔体密度比固体密度大，故熔化后会发生体积收缩，类似于冰与水的关系。;3.2.1硅材料的化学性质

在室温下，硅的化学性质比较稳定，与空气、水和酸均无反响，但与强酸、强碱作用，硅极易被HNO3–HF的混合酸所溶解，因此，在硅片加工及集成电路器件工艺中，HNO3–HF混合酸常常用作硅的腐蚀液。在高温下，硅与锗的化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢、碳等反响。

硅与卤素???卤化氢作用可生成相应的卤化物。生成的SiCl4可作为硅外延生产的原料，生成的SiHCl3是高纯硅化学提纯的中间产物。

;硅在高温下可与H2O、O2发生如下反响，硅平面工艺中，常用此反响制备SiO2掩蔽膜。

硅烷的活性很高，在空气中自燃，固态硅烷与液氧混合，在-190℃低温下也易发生爆炸，因其危险性，使用受到限制。

硅烷由于4个键都是Si-H键，很不稳定，易热分解。用这一特性可制取高纯硅。;3.2.2硅材料的晶体结构

固体材料按其结构可以分为晶体、非晶体和准晶体。晶体中的原子在空间上作周期性排列，具有长程有序性；非晶体中粒子在空间的分布是完全无序的或仅仅具有短程有序，不具有长程的周期性；准晶体的结构介于晶体和非晶体之间。

1.晶体的共性

〔1〕长程有序

〔2〕自限性

〔3〕各向异性

〔4〕对称性

〔5〕固定的熔点;单晶、多晶和非晶体原子排列;2.硅晶体的金刚石结构

硅原子序数分别为14，核外电子分布为：

Si—1S22S22P63S23P2

硅每个原子周围都有4个最近的原子，可与邻近的4个原子生成4个共价键，形成正四面体结构，上述正四面体累积起来就得到金刚石结构。;3.2.3硅材料的电学性质

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。

〔1〕半导体的电导率随温度升高而迅速增加

〔2〕杂质对半导体材料导电能力的影响非常大

〔3〕光照对半导体材料的导电能力也有很大的影响

〔4〕除温度、杂质、光照外，电场、磁场及其他外界因素〔如外应力〕的作用也会影响半导体材料的导电能力。;3.2.4硅材料的热学性质

硅是具有明显的热膨胀及热传导性质的材料，当硅在熔化时其体积会缩小，反之，当硅从液态凝固时其体积会膨胀，正因如此，在采用直拉法〔CZ法〕技术生长晶体过程中，在收尾结束后，剩余的硅熔体冷却凝固时会导致石英坩埚破裂现象。

由于硅具有较大的外表张力和较小的密度〔液态时为2.533g/cm3〕，据此特性可采用悬浮区熔技术生长晶体，此法既可防止石英坩埚对硅的玷污，又可进行屡次区熔提纯及制备低氧高纯的区熔硅单晶。;3.2.5硅材料的机械性质

在室温时，硅是一种无延展性的脆性材料。但在温度高于700-800℃时，硅却具有明显的热塑性，在应力的作用下会呈现塑性变形