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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，包括一个或多个堆叠的沟道叠层，包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨叠层结构的伪栅结构，伪栅结构覆盖叠层结构的侧壁和顶部；沿垂直于伪栅结构侧壁方向，去除部分宽度的牺牲层，形成由沟道层和剩余牺牲层围成的沟槽；进行多次填充处理，在沟槽中形成内侧墙；其中，填充处理包括：形成覆盖伪栅结构、叠层结构和基底的内侧墙材料层，内侧墙材料层还位于沟槽中；去除覆盖伪栅结构、沟道层侧壁和基底顶部的内侧墙材料层，保留位于沟槽中的内侧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410333A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202210794118.0H01L21/336(2006.01)
(22)申请日2022.07
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