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一种TSV结构及其形成方法，方法包括：以硬掩膜层为掩膜，形成贯穿掩膜开口下方的第二复合介电层、第二基底以及第一复合介电层的贯穿通孔，贯穿通孔的底部暴露出互连层；在贯穿通孔的底部和侧壁、掩膜开口的侧壁以及硬掩膜层上形成种子层；在位于硬掩膜层的顶部和掩膜开口的顶部拐角处的种子层上形成绝缘层，绝缘层露出位于贯穿通孔侧壁和底部的种子层；在绝缘层露出的种子层上形成填充贯穿通孔的通孔互连结构；去除高于通孔互连结构顶部的硬掩膜层、绝缘层和种子层。本发明实施例有利于提高通孔的剖面形貌质量以及提升了TSV结构的性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410256A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202210801269.4
(22)申请日2022.07.08
(71)申请人中芯国际集成电路
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