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2024-01-17 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，包括一个或多个堆叠的沟道叠层，包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨叠层结构的伪栅结构；沿垂直于伪栅结构侧壁方向，去除部分宽度的牺牲层，形成由沟道层和剩余牺牲层围成的沟槽；形成保形覆盖伪栅结构、叠层结构和基底的内侧墙材料层；形成覆盖位于叠层结构端部的内侧墙材料层的保护层；去除保护层露出的内侧墙材料层；去除叠层结构周围的保护层，露出叠层结构端部的内侧墙材料层；去除叠层结构周围的保护层后，去除沟槽外部被暴露的内侧

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410334A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202210801283.4

(22)申请日2022.07.08

(71)申请人北方集成电路技术创新中心（北京）

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