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真空腔、清洁方法及半导体制造设备.pdfVIP

真空腔、清洁方法及半导体制造设备.pdf

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    本申请实施例提供了一种真空腔、清洁方法及半导体制造设备，真空腔设置有供气组件，供气组件包括供气管路和至少一个喷嘴，供气管路用于连接至少一个喷嘴和清洁气体源，喷嘴用于向真空腔内喷射清洁气体，在清洁气体的喷射过程中真空腔内的气压小于或等于第一阈值，第一阈值小于或等于103Pa，清洁气体在离开所述喷嘴时形成具有方向性的喷射气流。本申请的方案能够实现真空环境下的原位清洁。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117399390A

    (43)申请公布日2024.01.16

    (21)申请号202210799830.X

    (22)申请日2022.07.08

    (71)申请人华为技术有限公司

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