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本发明公开了一种金属化学气相沉积装置，金属化学气相沉积装置包括若干个MOVCD反应模组，若干个MOVCD反应模组呈线性阵列设置；反应壳体设置在基座的顶端，反应壳体与基座围合成一反应腔，反应壳体的相对两侧分别设置有进气口和出气口，以用于供待反应气体进入和排出反应腔；基座内开设有容置腔，容置腔与反应腔之间通过一通孔相连通，晶圆载台用于承载晶圆；旋转结构与晶圆载台相连，适于在对晶圆进行加热时驱动晶圆载台带动晶圆旋转。此结构中的MOVCD反应模组为金属化学气相沉积反应模组，在保证完成工作需求的同时，使用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117403211A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311393765.1
(22)申请日2023.10.25
(71)申请人无锡市华辰芯光半导体科技有限公
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