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6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长的开题报告

题目：6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长

一、研究背景及意义

碳化硅（SiC）因其优异的物理、化学和电学性质，在电子、光电子、光学和热学等诸多领域应用广泛。其中，SiC晶体结构中除了六方（6H）相和四方（4H）相，还存在着立方（3C）相。由于3C-SiC负责载流子电子迁移速率高、电子通道迁移率大等特性，被广泛应用于半导体器件中。但是，在3C-SiC上生长其他化合物材料时，由于晶格常数不匹配所致的较大晶格失配度，可能导致弯曲、晶格缺陷、点缺陷等问题的出现。因此，在3C-SiC上生长其他材料的前提是必须先生长一层缓冲层，以减小晶格失配度。

而SiC和SiGe材料的复合结构可以使得半导体器件的性能有所提升，同时具有较高的导电率。因此，在应用领域中也得到了不断的探索和研究。因此，本研究将探究在6H-SiC上生长3C-SiC缓冲层及SiCGe复合薄膜，以期对材料的生长和性能有更深入的了解和优化。

二、研究内容及方法

本研究的主要内容是在6H-SiC上生长3C-SiC缓冲层及SiCGe复合薄膜，并对生长过程进行控制和优化，测量和分析其结构和性质，同时进行应用性能测试。

具体的研究方法如下：

1.利用化学气相沉积法（CVD）在6H-SiC上生长3C-SiC缓冲层。

2.采用物理气相沉积法（PVD）制备SiC