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一种半导体器件及其制作方法.pdfVIP

一种半导体器件及其制作方法.pdf

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    本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有交替层叠的锗硅层与硅层，锗硅层中的锗向硅层中扩散在硅层的表面形成有锗掺杂硅层；去除锗硅层；对锗掺杂硅层进行氧化形成锗硅氧化层；去除锗硅氧化层以暴露出硅层表面，在暴露出的硅层表面形成单晶硅，单晶硅与硅层共同构成硅沟道。本发明通过对锗掺杂硅层进行氧化形成锗硅氧化层，去除锗硅氧化层并在暴露出的硅层表面形成单晶硅，将硅层表面掺杂有锗且界面态密度较大的锗掺杂硅层转变为不掺杂锗且晶格结构完整的单晶硅，其界面粗糙度降低，界面态密度减小

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117423620A

    (43)申请公布日2024.01.19

    (21)申请号202210853682.5

    (22)申请日2022.07.11

    (71)申请人上海集成电路研发中心有限公司

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