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本发明公开一种半导体激光器，从下往上包括：衬底、第一下限制层、第一限制因子调制层、第二下限制层、第二限制因子调制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述第一限制因子调制层和第二限制因子调制层均包括一种以上宽禁带化合物半导体。本发明调控激光器的压电极化效应，抑制量子限制stark效应，降低激光器价带带阶，提升空穴注入；同时，改善激光器折射率色散，提升激光器的限制因子，提升激光器的模式增益。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117424073A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311636861.4
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人安徽格恩半导体有限公司
地址2
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