一种存储电路、存储单元、电子设备和数据读写方法.pdfVIP

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2024-01-20 发布于四川
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一种存储电路、存储单元、电子设备和数据读写方法.pdf

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本申请实施例公开了一种存储电路、存储单元、电子设备和数据读写方法，涉及半导体技术领域，该电路包括：写晶体管、读晶体管和耦合电容；写晶体管包括第一极、第二极和第一栅极；第二极与写位线相连；第一栅极与写字线相连；读晶体管包括第三极、第四极和第二栅极；第三极与读位线相连，第四极与参考电压端连接；第二栅极作为存储节点，与第一极相连；耦合电容的第一端与读字线相连，第二端与存储节点相连；耦合电容在读数据阶段通过电容耦合作用改变读晶体管的栅极电压。通过该实施例方案，实现了便利的读写操作，并且可以简化制作工艺。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117423364A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202211431068.6

(22)申请日2022.11.15

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100

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