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本发明公开了一种氮化镓基半导体激光器，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层和上限制层；其中，所述有源层的In元素分布呈函数y＝x2cosx曲线分布，Si掺杂浓度分布呈y＝exsinx曲线分布。在本发明所设计的有源层中，In元素分布呈函数y＝x2cosx曲线分布，Si掺杂浓度分布呈y＝exsinx曲线分布，可有效抑制有源层InN相分离和偏析，提升有源层的晶体质量和界面质量，减少非辐射复合，提升激光器的峰值效率，进而提高氮化物半导体激光器工作效率。同时，本发明能够提升激光器的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117424074A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311636118.9
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人安徽格恩半导体有限公司
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