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本发明公开了一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管，包括从下至上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、非故意掺杂的GaN沟道层、AlGaN势垒层、电场优化辅助层和绝缘介质层，所述AlGaN势垒层的左右两侧分别设有源极和漏极，所述源极和漏极均与AlGaN势垒层形成欧姆接触，所述AlGaN势垒层上靠近源极处刻蚀有沟槽，所述沟槽内通过绝缘栅介质设置有栅极。本发明优化了HEMT器件的栅漏电场、横向电场分布及动态电阻退化现象，提高了HEMT器件的击穿特性，改善了HEMT器件的电流崩塌效应，能够在不牺牲比导通电阻的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423725A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311636393.0H01L29/778(2006.01)
(22)申请日2023.12
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