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外延晶圆及其制造方法、半导体器件的制造方法.pdfVIP

外延晶圆及其制造方法、半导体器件的制造方法.pdf

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    本发明提供一种外延晶圆及其制造方法、半导体器件的制造方法，先使衬底晶圆的边缘区域表面非晶化，然后在所述衬底晶圆上外延生长外延层，以形成外延晶圆。其中，非晶化的衬底晶圆的边缘区域形成非晶化的外延层，晶化的衬底晶圆的区域（除边缘区域以外的中央区域）形成晶化的外延层，可以降低外延晶圆上滑移位错缺陷的发生概率，从而可以提高外延晶圆的物理性能，还能进一步减少因滑移位错缺陷而产生的漏电路径，从而提高了基于该外延晶圆制造的器件性能和良率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117423613A

    (43)申请公布日2024.01.19

    (21)申请号202311744096.8

    (22)申请日2023.12.19

    (71)申请人荣芯半导体（淮安）有限公司

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