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一种晶体管及其制造方法、电子设备，该晶体管包括：设置在衬底上的有源柱，所述有源柱包括沿着远离所述衬底方向依次设置的第一接触端、沟道区以及第二接触端，所述第一接触端的材料包括金属硅化物；设置在所述衬底与所述第一接触端之间的位线，所述位线与所述第一接触端电连接；设置在所述有源柱远离所述衬底一侧的漏电极，所述漏电极与所述第二接触端电连接；栅电极，环绕设置在所述沟道区的外侧，所述栅电极与所述沟道区相互绝缘。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117425332A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202211413911.8
(22)申请日2022.11.11
(71)申请人北京超弦存储器研究院
地址100
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