原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
Pt在Ni_Pt_Si_O固相反应中的影响_英文_
46卷第3期()Vol.46No.3第复旦学报自然科学版
2007年6月()Jun.2007JournalofFudanUniversityNaturalScience
()ArticleID:04272710420070320318206
EffectsofPtonNi(Pt)2SiSilicidation
12RENWei,CHIDong2zhi
(1.CollegeofScience,UniversityofShanghaiforScienceandTechnology,Shanghai200093,China;
)2.InstituteofMaterialsResearchandEngineering,Singapore117602
Abstract:Withinasub90nmtechnologynodeofICmanufacturing,NiSiisapotentialcontactmaterialonsource/drain
andgateregionsofatransistor.NiSiformationwithadditionofminorPtwasstudied.Thereactionsequencewasinvesti2
gatedfromNi2richtoSi2richphases.ItwasfoundthatafteraddingPtintothesystem,thetransitiontemperatureofNiSi22
to2NiSiwaspulledupfrom300to350?;thetransitiontemperatureofNiSi2to2NiSiupfrom640to775?;while,the2
onsettemperatureoffilmagglomerationwasdelayedto750?.
Keywords:nickelsilicide;solid2statereaction;rapidthermalprocessing;diffusion;SIMS
CLCnumber:O484.1DocumentCode:A
1Introduction
CMOSdevicesarethekeyinICmanufacturingindustry.Asitsdimensionreducestoascaleofsub90nm,morestringentrequirementsshouldbemetforthecontactmaterialsingateandsource/drainregionsof
1CMOStransistors.Theconventionalsalicidematerials2TiSiandCoSi,arenotabletomeetthischallenge22
duetotheirinherentmateriallimits:theresistivityofTidisiliciderapidlyincreasesfornarrowgatelinewidth(μ)()0.25m,whiletheSiconsumptionofCodisilicideistoohighforultrashallowjunctions25nm.NiSihasbeensuggestedasapotentialcandidatetoreplaceCoSiandTiSi,mainlyduetoitslowerthermalbudget,22
linewidthindependency,lowsheetresistance,lowerSiconsumption,andcom
文档评论（0）