微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统.pptxVIP

微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第1页!第19章微机电系统（MEMS）利用集成电路制造工艺中的加工方法，可以在硅材料上制作极其微小的机械装置。这些机械装置主要可分为传感器和执行器两大类。如果将它们与集成电路做在一起，就可制成包括传感器、控制器和执行器在内的微型智能电子机械系统。这就是MEMS（MicroelectronmechanicalSystem）技术。微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第2页!19.1硅基微型机构的优点一、机械的小型化和轻量化节约材料和能源；惯性小，因而灵敏度高、频率高；热容量小；等等。在医疗与军事等领域有巨大的应用前景。二、高效的加工和装配采用集成电路制造工艺中的加工方法，可以大批量生产，且均匀性重复性好。三、与IC制造相兼容可以很方便地与控制电路集成在一起，形成微型的智能化机械系统。四、单晶硅有良好的机械性能单晶硅的弹性系数与破坏应力大体和钢接近，不产生塑性形变，直到被破坏为止都有弹性。唯一的缺点是比较脆。微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第3页!19.2硅基微型机构的加工制造技术一、体硅腐蚀技术这种技术是在空间的三个维度上将硅衬底的大部分腐蚀掉，只留下选定的区域，以形成最终的单晶硅结构。这种技术的基础是，在某些腐蚀液中，单晶硅的腐蚀速率在不同方向上具有各向异性。常用的体硅腐蚀液有KOH溶液和乙二胺邻苯二酚（EDP）等。它们对硅（111）面的腐蚀速率比对（100）面和（110）面的低1到2个数量级。其中KOH溶液无毒，装置简单，腐蚀质量好，操作容易。但缺点是K+离子的沾污会影响器件性能，因此与IC制造工艺不相容。利用体硅腐蚀技术可形成硅杯、硅膜片和SiO2悬臂梁等。微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第4页!MEMS元件的尺寸控制利用体硅腐蚀技术制造的MEMS元件，其横向尺寸取决于光刻，可以控制得非常精确。但是其深度方向上的尺寸由湿法腐蚀决定，因此比较难控制。体硅腐蚀技术中控制腐蚀深度的方法，称为腐蚀终止技术，主要有以下5种：1、定时腐蚀2、V形槽的各向异性腐蚀3、P++掺杂层自停技术4、电化学自停技术5、高密度RIE（HDPRIE）刻蚀技术微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第5页!3、P++掺杂层自停技术P++掺杂层N-Si表面掺硼背面氧化背面光刻腐蚀硅微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第6页!5、高密度RIE（HDPRIE）刻蚀技术利用RIE刻蚀技术可实现与晶面无关的各向异性刻蚀。现已可获得深宽比达30以上的坑槽。但由于刻蚀速率很慢，通常用于小区域上的各向异性刻蚀。微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第7页!二、表面加工技术采用与集成电路制造工艺相似的各种标准加工工艺，如薄膜淀积、光刻等。其中最重要的一种加工技术称为“表面牺牲层腐蚀技术”，可在硅片表面制作可动的机械结构。这种技术利用不同材料在同一腐蚀液中腐蚀速率的巨大差异，将已按一定形状和顺序叠加在一起的多层薄膜材料中的一层选择性地去掉，从而得到所需的结构。被去掉的这一层即称为表面牺牲层。常用的慢腐蚀材料有Si和Poly-Si，牺牲层材料有CVDSiO2、PSG、Al和PMMA。腐蚀液为HF溶液。微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第8页!固定轴（Poly-Si-2）旋转臂（Poly-Si-1）微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第9页!二、压力传感器MEMS较早进入且现已占据支配地位的另一个领域是压力传感器。压力传感器的工作原理与加速度传感器类似，也是由压力造成的形变使应变电阻值发生改变。与加速度传感器不同的是，由于质量块需感受压力，因而不能密封。当质量块仅一侧开放时，称为绝对压力传感器；当质量块两侧均开放时，称为相对压力传感器。下图是一种相对压力传感器的芯片剖面图。应变电阻硅膜片硅质量块玻璃底座微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第10页!四、微活页微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第11页!六、单向阀微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统共19页，您现在浏览的是第12页!1、定时腐蚀最简单的方法就是靠时间和经验来控制腐蚀的终止，但这种方法的精