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一种花瓣状具有线位错的CoNi2S4纳米片电极材料及其制备方法.pdfVIP

一种花瓣状具有线位错的CoNi2S4纳米片电极材料及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种花瓣状具有线位错的CoNi2S4纳米片电极材料及其制备方法，利用液相低熔点共熔物在碳布上生长花瓣状具有线位错的CoNi2S4纳米片，采用NiCl2·6H2O、CoCl2·6H2O和硫脲得到均匀的液体前驱体分解，得到花瓣状具有线位错的CoNi2S4纳米片电极材料。所得纳米片具有高的活性位点、高稳定性、良好的导电性，有利于电子的快速传输。该复合电极制备工艺简单，成本低。用于电催化全解水制氢、制氧、电催化全解海水制氢和制氧、电催化生物质选择性氧化制备精细化学品，电催化氧化处理有机废水及

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117431563A

    (43)申请公布日2024.01.23

    (21)申请号202311457840.6C02F101/30(2006.01)

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