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集成电路制造技术

ManufacturingTechnologyofIC

SchoolofMicroelectronics

XidianUniversity

2020.2

第二章氧化

作用：

a.杂质扩散掩蔽膜(选择、定域扩散)；

b.器件表面保护或钝化膜，可靠性，稳定性；

c.MOS电容的介质材料；

d.MOSFET的绝缘栅材料；

e.电路隔离介质或绝缘介质；

f.固-固扩散源(硅化物，乳胶源)，载体；

g.淀积SiN，中间应力过渡；

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h.腐蚀掩膜(等离子刻蚀氢化硅)；

制备：热氧化；热分解淀积；外延；阳极氧化；溅射法。

热氧化：SiO质量好，掩蔽能力强。

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氧化及热处理

硅氧化成SiO2是IC的重要工艺步骤。IC选择掺杂工艺中，SiO2是

掺杂的主要屏蔽层。

SiO2是绝缘体，又可做引线与衬底，引线与引线之间的绝缘层。

氧化工艺是将硅片置于通有氧气气氛的高温