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实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底；第1导电体层，设置在所述半导体衬底的上方，且包含硅；多个第2导电体层，设置在所述第1导电体层的上方，在第1方向上分开而积层；以及第1柱，在所述多个第2导电体层内沿所述第1方向延伸，与所述第2导电体层的交叉部分分别作为存储单元晶体管发挥功能；且在所述第1导电体层，包含第1区域，该第1区域是与所述第1柱接触的区域，并具有砷(As)、磷(P)、碳(C)、及硼(B)中的至少1种元素。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111739889A
(43)申请公布日
2020.10.02
(21)申请号20191
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