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本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，由氢离子形成的施主浓度有时根据半导体基板的碳浓度等而变动。半导体装置的制造方法包括：设定步骤，根据缓冲区应具有的载流子浓度的分布来设定向与多个浓度峰对应的多个深度位置注入的氢离子的剂量；以及注入步骤，根据在设定步骤中设定的所述剂量向半导体基板注入氢离子，在设定步骤中，根据半导体基板的碳浓度来设定针对多个浓度峰中的距半导体基板的下表面最远的最深峰的氢离子的剂量，并且不依赖于半导体基板的所述碳浓度来设定针对除最深峰以外的浓度峰中的至少一个浓度峰的剂量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438292A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202310773937.1
(22)申请日2023.06.27
(30)优先权数据
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