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描述了管芯结构及其形成方法。在实施例中，器件包括：下部集成电路管芯；第一上部集成电路管芯，面至面接合至下部集成电路管芯，第一上部集成电路管芯包括第一半导体衬底和第一衬底通孔；间隙填充电介质，位于第一上部集成电路管芯周围，间隙填充电介质的顶面与第一半导体衬底的顶面基本共面并且与第一衬底通孔的顶面基本共面；以及互连结构，包括第一介电层和第一导电通孔，第一介电层设置在间隙填充电介质的顶面和第一半导体衬底的顶面上，第一导电通孔延伸穿过第一介电层以接触第一衬底通孔的顶面。本申请的实施例还涉及半导体器件及其
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438420A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311009778.4H01L23/528(2006.01)
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