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本发明提供了半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：半导体衬底，半导体衬底包括具有第一型导电性的第一阱区和第二型导电性的第二阱区，第一阱区与第二阱区之间通过沟道隔离；第一栅极，位在第一阱区的上表面，第一栅极的侧壁被第一侧墙的侧面覆盖，第一侧墙的底面覆盖沟道的上表面和第一阱区的上表面；第二栅极，位于第二阱区的上表面，第二栅极的侧壁被第二侧墙的侧面覆盖；以及导电层，覆盖第一栅极、第二栅极的上表面以及第二阱区上表面的露出区域。本发明能够在光刻掩膜的控制下，增强了刻蚀尺寸及形貌可控性，减少了刻蚀次
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438429A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311460632.1
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人上海积塔半导体有限公司
地址2
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