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一种自支撑金刚石薄膜的制备方法、金刚石薄膜及其应用.pdfVIP

一种自支撑金刚石薄膜的制备方法、金刚石薄膜及其应用.pdf

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    本发明涉及一种自支撑金刚石薄膜的制备方法、金刚石薄膜及其应用，所述制备方法包括：制备亲水性化合物薄膜底层，制备高活性复合种子层，沉积金刚石沉积层，溶解剥离底层，剥离高活性复合种子层，最终得到自支撑金刚石膜。本发明低成本、高质高效制备的自支撑金刚石薄膜没有残余应力，厚度为0.5～10微米，规格为2英寸以上，表面粗糙度的均方根为小于0.87nm，晶粒尺寸为小于2微米，（111）面占晶面总量90%以上，能够有效满足半导体芯片领域的需求。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117431524A

    (43)申请公布日2024.01.23

    (21)申请号202311742298.9

    (22)申请日2023.12.18

    (71)申请人北京科技大学

    地址100083

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