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一种非对称响应纳米梁腔级联结构的红外辐射传感器.pdfVIP

一种非对称响应纳米梁腔级联结构的红外辐射传感器.pdf

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    本发明公开了一种非对称响应纳米梁腔级联结构的红外辐射传感器。该红外辐射传感器包括：自下而上设置的衬底层、吸收层和器件层；衬底层采用单晶硅；吸收层包括SiO2镂空区域和SiO2保留区域；器件层采用单晶硅，包括第一耦合波导、第一纳米梁微腔、第一下载波导、连接波导、第二下载波导、第二纳米梁微腔和第二耦合波导；第一耦合波导和第一下载波导分别设置在第一纳米梁微腔的两侧，间距分别为第一/第二耦合间距；第二耦合波导和第二下载波导分别设置在第二纳米梁微腔的两侧，间距分别为第二/第一耦合间距；连接波导连接第一耦合

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117438483A

    (43)申请公布日2024.01.23

    (21)申请号202311356226.0

    (22)申请日2023.10.18

    (71)申请人华中科技大学

    地址430074

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