GB/T 42835-2023半导体集成电路 片上系统(SoC).pdf

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  •   |  2023-08-06 颁布
  •   |  2023-12-01 实施

GB/T 42835-2023半导体集成电路 片上系统(SoC).pdf

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ICS31.200

CCSL56GB

中华人民共和国国家标准

GB/T42835-2023

半导体集成电路片上系统(SoC)

Semiconductorintegratedcircuits-Systemonchip(SoC)

2023-08-06发布2023-12-01实施

国家市场监督管理总局4非

国家标准化管理委员会也叩

GB/T42835-2023

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目。吕

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第I部分:标准化文件的结构和l起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会CSAC/TC78)归口。

本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有

限公司、杭州万高科技股份有限公司。

本文件主要起草人:罗晓羽、徐平、江、钟明琛、赵扬、邵瑾、陈燕宁、朱松超、王于披、张海峰、梁路辉、

反军虎、何杰。

I

GB/T42835-2023

半导体集成电路片上系统(SoC)

1范围

本文件规定了片上系统CSoC)的技术要求、电测试方法和检验规则。

本文件适用于片上系统(SoC)的设计、制造、采购、验收。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文

件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于

本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分:外部自检

GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态温热试验CHAST)

GB/T4937.11半导体器件机械和气候i式验方法第11部分:快速温度变化双液槽法

GB/T4937.13半导体器件机械和气候试验方法第13部分:盐雾

GB/T4937.14半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)

GB/T4937.15半导体器件机械和气候试验方法第15部分:通孔安装棉件的耐焊接热

GB/T4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分:可焊性

GB/T4937.23半导体器件机械和气候试验方法第23部分:高温工作寿命

GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法

第26部分:静电放电CESD)敏感度测试人

体模型CHBM)

GB/T4937.27半导体器件机械和气候试验方法第27部分:静电放电CESD)敏感度测试机

器模型(MM)

GB/T9178集成电路术语

GB/T12750半导体器件集成电路第11部分:半导

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