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1.4LED芯片的发展趋势

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LED芯片的发展趋势

一、大功率芯片

二、高效率芯片

三、我国芯片发展情况

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一、LED芯片大功率

在LED按输入功率分类中，瓦级LED芯片的尺寸为1×1mm，小功率LED芯片为8×8mil=200×200µm。

是不是会得出这样的结论：LED的芯片尺寸越大，输入的电功率越大，输出光通量越大。

研究表明：当芯片尺寸大于1.666×1.666mm时，发光不会与芯片面积成正比，而是随着芯片面积的增加，发光强度减小。

一、发展趋势之大功率

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一、LED芯片大功率

未来大功率LED的获得方法

不可能由大尺寸面积的单芯片LED完成

由多个芯片组合做成高亮度LED光源。

一、发展趋势之大功率

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目前的效率水平

以白光LED为例

2000年：10lm/W

市场：70~100lm/W

二、发展趋势之高效率

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提高发光效率的方法

内量子效率：电子跃迁产生光子的效率。基本可以达到80％甚至90％以上。

外量子效率：远没有上面的高，也就是光子产生了，却无法有效提取，被LED吸收产生为热能导致结温升高。从芯片的外延片的结构中考虑，如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大小、封装方法等方面改善。

二、发展趋势之高效率

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三、我国芯片发展情况

“十一五”半导体照明战略目标示意图

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国内外白光LED芯片指标对比

三、我国芯片发展情况

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二、高效率

LED芯片发光效率的理论推算

200lm/W

二、发展趋势之高效率

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2008年Osram新款白光LED发光效率又创新高

在350mA的工作电流下，峰值亮度达到了155lm，发光效率为136lm/W。

研究人员使用了一种新型1平方毫米LED发光元件。这种LED原型的色温为5000K，色座标为（0.349，0.393）(x，y)。

欧司朗表示这种LED还可以工作于1.4A电流下，亮度可达到500lm，潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及其他需要高亮度照明场合，届时仅靠单颗LED就能满足人们的需要。目前，欧司朗准备将这项技术迅速从实验室带入市场。

二、发展趋势之高效率

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提高外量子效率简介

衬底剥离技术

表面粗化技术

制备基于二维光子晶体的微结构

倒装芯片技术

芯片表面处理技术

全方位反射膜

发展大功率大尺寸芯片

提高侧向出光的利用效率

二、发展趋势之高效率

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我国LED芯片国产化趋势变化

三、我国芯片发展情况

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小结

LED的发展趋势

一是高功率，通过增加单个芯片的尺寸面积达到，或是组合使用大功率单个LED芯片。

二是高效率，在内部量子效率无法提高的情况下，尽可能提高外量子效率，是产生的光子有效地辐射出来。

三、我国芯片发展情况

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