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《半导体物理》PPT课件
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目录
CONTENTS
半导体物理概述
半导体材料
半导体中的载流子
半导体中的光电效应
半导体器件
半导体物理的未来发展
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01
半导体物理概述
半导体物理的发展推动了微电子、光电子、新能源等领域的科技进步，对现代工业、通信、医疗等领域产生了深远影响。
半导体技术的应用已经深入到人类生活的方方面面，如电子设备、通信网络、医疗仪器等，极大地改变了人们的生活方式和工作方式。
改变人类生活
推动科技进步
从20世纪初的经典电子理论到量子力学的应用，再到晶体管和集成电路的发明，半导体物理的发展历程充满了重要的里程碑。
历史回顾
随着新材料、新技术的不断涌现，半导体物理的研究领域也在不断拓展，未来将更加注重光电转换、自旋电子学、拓扑物态等领域的研究。
发展趋势
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02
半导体材料
硅（Si）
在所有元素半导体中，硅是最常用的半导体材料。其具有稳定的化学性质和良好的半导体性能，被广泛应用于微电子、光电子和电力电子等领域。
锗（Ge）
锗也是一种常用的元素半导体材料，其具有较高的迁移率和载流子饱和速度，因此在高速电子器件和光电器件中有广泛应用。
砷化镓（GaAs）
砷化镓是一种重要的化合物半导体材料，具有高电子迁移率和直接带隙，因此被广泛应用于高速电子器件、光电器件和微波器件等领域。
磷化铟（InP）
磷化铟是一种窄带隙的化合物半导体材料，具有高电子迁移率和低噪声等优点，常用于制造高速、高频率的电子器件。
VS
硅碳化物是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强和高电子饱和速度等优点，被广泛应用于高温、高压和高频率的电力电子器件领域。
氮化镓（GaN）
氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和速度和高热导率等优点，被广泛应用于光电器件、电力电子器件和微波器件等领域。
硅碳化物（SiC）
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03
半导体中的载流子
电子
带负电的载流子，主要存在于导带中，是半导体中的主要载流子。
空穴
带正电的载流子，主要存在于价带中，是半导体中的次要载流子。
离子
由于原子或分子在半导体中不处于平衡态而产生的载流子。
浓度
单位体积内载流子的数目，决定了半导体的导电能力。
要点一
要点二
迁移率
载流子在电场作用下的平均漂移速度，反映了载流子的导电效率。
载流子在运动过程中受到各种散射机制的作用，如晶格散射、电离杂质散射等。
载流子在半导体中的运动和传输过程，包括扩散输运和漂移输运。
散射
输运
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04
半导体中的光电效应
光电探测器
利用光电效应制成的探测器，可以用于探测红外线、紫外线、可见光等。
光电二极管
光电二极管可以将光信号转换为电信号，广泛应用于光通信、光电控制等领域。
光伏电池
光伏电池利用光电效应将太阳能转换为电能，是太阳能发电领域的重要器件。
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05
半导体器件
总结词
双极晶体管是一种电流控制器件，具有电流放大作用。
详细描述
双极晶体管由两个PN结和三个电极组成，通过控制基极电流来控制集电极电流，实现电流放大。
总结词
场效应晶体管是一种电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低等优点。
详细描述
场效应晶体管通过电压改变导电沟道的宽窄来控制电流，具有低噪声、高线性度和高输入阻抗的特点，常用于信号放大和处理。
集成电路是将多个电子元件集成在一块衬底上，实现一定的电路或系统功能。
总结词
集成电路采用半导体制造工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集成在一块衬底上，具有体积小、可靠性高、成本低等优点，广泛应用于各类电子设备中。
详细描述
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06
半导体物理的未来发展
新材料
新型半导体材料如碳化硅、氮化镓等，具有更高的电子迁移率和耐高温特性，适用于高功率、高频电子器件。
新器件
新型半导体器件如量子点、二维材料等，具有更小的尺寸和更高的性能，为集成电路、光电子器件等领域带来新的突破。
利用半导体的光电效应和化学反应，检测生物分子和细胞活性，为生物医学研究提供新的工具。
生物传感器
利用半导体的光电效应和磁学性质，实现医学影像的无损检测和诊断，提高医学诊断的准确性和可靠性。
医学成像
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