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真空蒸发制备稀土掺杂CdTe薄膜及其特性研究的开题报告

一、选题背景及研究意义

稀土掺杂CdTe薄膜具有很好的光电性能和磁性能，因此在光电、光催化、光化学等领域应用前景巨大，近年来备受研究者关注。对于CdTe材料，其非晶态/微晶态薄膜具有优异的光伏特性，但是电荷载流子复合速率较快，导致光电转换效率不够高。而稀土掺杂可以通过调节材料的非晶度和缺陷结构，来改善电荷载流子复合和扩散速率，从而提高光电性能。

在制备稀土掺杂CdTe薄膜方面，真空蒸发技术是一种较为有效的方法之一。通过控制真空度、基底温度、沉积速率等参数，可以制备出高质量、掺杂均匀的CdTe薄膜。

本课题旨在利用真空蒸发技术制备稀土掺杂CdTe薄膜，并对其特性进行研究，为实现CdTe薄膜在光电器件等领域的应用提供理论和实验基础。

二、主要研究内容

1、制备稀土掺杂CdTe薄膜：采用真空蒸发技术制备稀土掺杂CdTe薄膜，控制材料的非晶度和掺杂浓度，研究掺杂对薄膜结构和光电性能的影响。

2、表征CdTe薄膜特性：利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）等技术，对CdTe薄膜的表面形貌、晶体结构、光学和电学性能等进行表征。

3、探索CdTe薄膜在光电器件中的应用：将制备的CdTe薄膜应用于太阳能电池、光电探测器等器件中，测试其性能表现，分析其应用前景和潜在问题。

三、预期研究成果

1、成功制备出掺杂均匀、结晶度良好的稀土掺杂CdTe薄膜。

2、对CdTe薄膜的表面形貌、晶体结构、光学和电学性能等进行了详细的表征和分析，深入研究了稀土掺杂对CdTe的影响机制。

3、探索了CdTe薄膜在光电器件中的应用，为其在太阳能电池、光电探测器等领域的应用提供理论和实验基础。

四、研究计划与进度安排

1、第一年：熟悉实验室仪器设备，学习真空蒸发制备技术，并进行CdTe薄膜的制备和表征；

2、第二年：进行稀土掺杂CdTe薄膜的制备和表征，并深入研究掺杂对薄膜特性的影响；

3、第三年：探索CdTe薄膜在光电器件中的应用，测试其性能表现，并进行分析和比较。

五、参考文献

[1]黄鹤，刘赟，孟宪红，等.稀土掺杂CdTe薄膜的制备及其特性研究进展[J].冶金分析，2021，41（4）：26-30.

[2]G.Punitha,N.Manikandan,G.Boopathi,etal.Influenceofrareearthdopingonstructural,morphological,opticalandelectricalpropertiesofCdTethinfilms[J].MaterialsScienceinSemiconductorProcessing,2019,92:117-123.

[3]T.S.Rajmohan,C.Santhosh,K.Geetha,etal.DevelopmentofCdTe-basedsolarcellsandtheiroptimizations:Areview[J].JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2019,30:15707-15722.