多弧离子镀的双线圈控制弧源装置及多弧离子镀设备.pdfVIP

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2024-01-27 发布于四川
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本发明公开了一种多弧离子镀的双线圈控制弧源装置及多弧离子镀设备，所述的双线圈控制弧源装置包括：外壳、第一线圈、第二线圈、法兰以及靶座、绝缘板，外壳一端固定连接法兰，靶座、绝缘板均卡设在法兰的内圈，并与法兰固定连接，靶座用于固定靶材；第一线圈和第二线圈分别套设在外壳上，第一线圈和第二线圈的平面与靶材平行设置，第一线圈靠近靶材的表面与靶材表面的距离大于0；弧源装置初安装状态时，第一线圈和第二线圈相对靶材表面呈对称。本发明通过双线圈结构，通入方向相反的电流，实现垂直磁场强度较小、水平磁场强度最大，提高

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117448753A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311405333.8

(22)申请日2023.10.27

(71)申请人西南交通大学

地址610036

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