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本发明公开一种半导体装置，包括：电子装置；保护走线，通过第一接地通孔连接至接地层；以及第一走线，邻近所述电子装置及所述保护走线设置且包括第一片段，其中在所述第一走线上传导的第一电流信号的相位或方向在所述第一片段中改变，以及其中所述电子装置与所述第一走线设置于所述保护走线的不同侧，且所述第一接地通孔位于所述第一片段的旁边。本发明通过在第一片段中改变第一电流信号的相位或方向，可以让在第一片段之后传输的电流信号产生的电磁场与在第一片段之前传输的电流信号产生的电磁场相对于电子装置来说相互减弱甚至抵消，从
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457631A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202310900052.3H01L23/64(2006.01)
(22)申请日2023.07.
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