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本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，方法包括提供一晶圆片，对晶圆片进行处理，得到处理晶圆片，并刻蚀处理晶圆片，得到第一半成品芯片；在第一半成品芯片上沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，得到第二半成品芯片；调整磁控溅射机的真空度，向磁控溅射机内通入预设流量的氩气与第一氧气，使磁控溅射机在第二半成品芯片上沉积氧化铟锡层，得到第三半成品芯片；在氧化铟锡层表面沉积钛膜层，并进行快速退火以及沉积半导体层，以得到成品LED芯片。本发明能够有效提升氧化铟锡层的电导率以及出光效率，并且能够提升氧化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457811A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311426029.1C23C14/58(2006.01)
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