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本申请提供了一种沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构。该器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；沟槽栅，至少位于外延层中；第一注入区，位于沟槽栅至少一侧的外延层中，与沟槽栅的部分侧壁接触，第一注入区远离衬底的表面与外延层远离衬底的部分表面重合；第二注入区，位于沟槽栅至少一侧的外延层中，与沟槽栅的部分侧壁接触，第二注入区还与第一注入区靠近衬底的表面接触；第三注入区，位于外延层中，与沟槽栅的部分底部、沟槽栅的部分侧壁和第二注入区靠近衬底的部分表面分别接触；外延层、第一注入区和第三注入区的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457746A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311769736.0
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人珠海格力电子元器
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