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本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少两个pGaN结构，其中第一pGaN结构为栅pGaN结构，上表面与栅极金属相连，其余pGaN依次间隔的设置在势垒层上，被介质层隔离开来。势垒层一端设置有源极金属，形成欧姆接触，另一端设置有漏极金属，形成欧姆接触，漏极金属与除第一pGaN结构的其余pGaN结构相连。正向导通时，与漏极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113594247A
(43)申请公布日2021.11.02
(21)申请号202110868565.1
(22)申请日2021.07.30
(71)申请人电子
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